Name: TSM4NB60CH-C5G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM4NB60CH C5G
Availability: InStock
Rating: 5 (94 reviews)

TSM4NB60CH-C5G

Pour Référence Seulement

Référence	TSM4NB60CH-C5G
Fabricant	Taiwan Semiconductor Corporation
Description	MOSFET N-CH 600V 4A TO251
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	67 248 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 25 - nov. 30 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications TSM4NB60CH-C5G

Fabricant	Taiwan Semiconductor Corporation
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	500 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	50W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	2.5Ohm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-251 (IPAK)
Paquet / cas	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA

TSM4NB60CH-C5G Packaging

TSM4NB60CH-C5G FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TSM4NB60CH-C5G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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